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• 芯片缺陷是什么？芯片缺陷檢測做什么？芯片缺陷檢測怎么做？

  在芯片生產制造過程中，各工藝流程環環相扣，技術復雜，材料、環境、工藝參數等因素的微變常導致芯片產生缺陷，影響產品良率。...

  類別：電子說 3次閱讀 · 0評論 編碼器機器視覺GaN半導體芯片深度學習
  

• 平衡PN結能帶圖講解

  上期簡單描述了下PN結的基本結構和耗盡區的形成過程，為方便后續定量研究，還是要從能帶圖入手，先看下平衡PN結的能帶圖吧，通過能帶圖，可以獲得PN結的很多有用的信息。...

  類別：電子說 7次閱讀 · 0評論 半導體PN結電勢
  

• PN結的基本結構

  半導體器件有四種基本結構，而PN結無疑是最常見，也是最重要的結構。...

  類別：電子說 15次閱讀 · 0評論 半導體PN結半導體器件
  

• 250MHz軌到軌運算放大器簡介

  在儀器儀表、激光器、電信等需要處理低壓高頻信號的應用場景中，具有寬增益和高轉換速率的高速運放芯片無疑是最關鍵的電子元件。中微愛芯推出的AiP805X系列電路是專門為視頻、高速信號處理設計的一款軌到軌輸入/輸出的電壓反饋運放：單位增益帶寬高達250MHz、轉換速率為180V/us，可作為1V/V電壓跟...

  類別：電子說 0次閱讀 · 0評論 放大器運算放大器激光器儀器儀表
  

• SiLM94112開路保護的應用筆記分享

  本文主要闡述了多路半橋驅動 SiLM94112 驅動芯片應用中，輸出負載開路保護功能的應用方法及其注意事項。...

  類別：電子說 21次閱讀 · 0評論 電機控制MOS管SPI接口驅動芯片開路保護
  

• IGBT的物理結構模型—PIN&MOS模型（2）

  上一節的分析中，僅考慮了PIN1，而未考慮PIN2。PIN1與MOS結構相連接，而PIN2則與基區相連接。...

  類別：電子說 0次閱讀 · 0評論 IGBTMOS載流子
  

• IGBT的物理結構模型—PIN&MOS模型（1）

  分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單...

  類別：電子說 9次閱讀 · 0評論 二極管IGBTMOSPNP管
  

• 介紹一下I2C和SPI兩種常見的通信協議之間區別

  在與ECU或者嵌入式相關的工作中, 我們肯定會接觸到各種通信協議, 很多協議有很多類似的地方, 也容易混淆. 本文來介紹一下兩種常見的通信協議之間的區別....

  類別：電子說 15次閱讀 · 0評論 振蕩器電源管理SPI時鐘信號I2C協議
  

• 有關RF濾波器的基礎知識

  在過去十年中，移動無線數據快速增長，使得運營商愈加迫切地需要新頻段和新技術，以滿足用戶對無線數據容量的需求。這種需求不僅推動了無線技術的發展，也增加了對增強型射頻(RF)濾波器技術的需求，以幫助減少系統干擾，擴大RF覆蓋范圍，增強接收器性能，并提升共存特性。...

  類別：電子說 5次閱讀 · 0評論 射頻RF功率損耗RF濾波器
  

• 什么是CMOS圖像傳感器？CMOS圖像傳感器的基本名詞解釋

  Sensor，作為攝像頭模組最重要的一部分，其總價值占比超過50%，在攝像頭模組及相關行業，提到“Sensor”這個詞，一般代指圖像傳感器。目前，除了一些特殊領域，CMOS圖像傳感器占據絕大部分市場。本期，我們將簡單介紹CMOS圖像傳感器的一些基礎概念和名詞概念。...

  類別：電子說 9次閱讀 · 0評論 CMOS半導體圖像傳感器攝像頭
  

• IGBT中的MOS結構—抗輻照特性介紹

  氧化硅等絕緣層是MOS器件的重要組成部分，在高能粒子的輻射下，絕緣層中激發的電子空穴對會對絕緣層的特性造成影響。...

  類別：電子說 6次閱讀 · 0評論 IGBTMOS器件閾值電壓
  

• EMC案例分享：千兆POE口傳導發射問題定位整改

  某金屬盒式產品POE口采用8端口ISN進行CE測試，測試結果見圖1，可見10MHz以下CE噪聲嚴重超標，特別是1MHz以下開關頻率的諧波超標嚴重。...

  類別：電子說 17次閱讀 · 0評論 PoEemc定位傳導發射
  

• 嵌入式操作教程：在LCD上顯示灰度圖像的直方圖統計結果

  學習直方圖統計的原理，掌握圖像的讀取方法，并實現在LCD上顯示灰度圖像的直方圖統計結果。...

  類別：電子說 15次閱讀 · 0評論 處理器緩沖器電源開關LCD顯示DSP控制
  

• 嵌入式操作教程：在LCD上顯示灰度圖像的直方圖統計結果

  學習直方圖統計的原理，掌握圖像的讀取方法，并實現在LCD上顯示灰度圖像的直方圖統計結果。...

  類別：電子說 15次閱讀 · 0評論 處理器緩沖器電源開關LCD顯示DSP控制
  

• 四種半導體器件基本結構

  按施敏教授的觀點，半導體器件有四個最基本的結構單元：金半接觸、PN結、異質結、MOS結構。所有的半導體器件都可以看作是這四種基本結構的組合，比如BJT由兩個背靠背的PN結構成，MOSFET由MOS結構和兩對PN結構成。...

  類別：電子說 7次閱讀 · 0評論 MOSFET半導體MOSPN結
  

• MOSFET結構解析(2)

  MOS結構加上一對背靠背的PN結，就構成一個MOSFET。如果MOS結構在零柵壓時半導體表面不是反型的，此時由于PN結的反向截止效果，源漏之間不會導通。當外加柵壓使半導體表面反型時，源漏之間就有了導電的通路，稱為溝道，根據溝道的載流子類型，可分為N溝道和P溝道，像這種需要外加柵壓才能使溝道產生的MO...

  類別：電子說 0次閱讀 · 0評論 MOSFET半導體晶體管MOSPN結
  

• MOSFET結構解析(1)

  金屬-絕緣體（氧化層）-半導體構成MOS結構，金屬作為柵極，當柵極零偏時，理想情況下半導體能帶是平的，意味著半導體內沒有凈電荷存在。...

  類別：電子說 2次閱讀 · 0評論 MOSFET半導體MOS源極
  

• 如何轉換Keil工程為ECloudIDE工程

  由于市面上絕大部分STM32教程是基于Keil軟件教學，而ECloudIDE是基于GCC編譯器( gcc-arm -none-eabi)，兩者在工程管理上存在一些差異，無法直接使用，我們團隊提供了一個轉換插件用與將Keil工程轉換成ECloudIDE工程。...

  類別：電子說 0次閱讀 · 0評論 芯片STM32STM32F10xKeil編譯器
  

• 正點原子stm32f1 nano開發板簡介

  溫馨提示 ：正點原子stm32f103-nano開發板有舊版本( 主控芯片STM32F103RBT6 )和新版本( 主控芯片STM32F103RCT6 )，兩者使用的芯片型號不一樣,注意查看手中開發板芯片型號。...

  類別：電子說 3次閱讀 · 0評論 STM32引腳開發板STM32F103stm32cubemx
  

• 什么是IPD？MOSFET和IPD的區別？IPD在車載行業中的應用

  IPD 的全稱是 Intelligent Power Device，即“具有智能功能的電源器件”。根據制造商的不同，其叫法也不一樣，有時也被稱為 Smart Switch、High-side /Low-side Switch 等，那么怎樣才算是“智能”呢?...

  類別：電子說 3次閱讀 · 0評論 MOSFETIPD過熱保護電路
  
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