模擬技術
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IGBT的物理結構模型—PIN&MOS模型（1）
分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單...
2023-11-30 72
MOS管寄生電容計算方法
某種電介質的介電常數ε與真空介電常數ε0的比值，稱為該電介質的相對介電常數，符號為εr，即εr=ε/ε0，εr是無量綱的純數，其中真空介電常數ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相對介電常數為εr=3.9，所以...
2023-11-30 11
什么是PN結
P型硅中有大量的多子空穴和少量的電子；N型硅中有大量的多子電子和少量的空穴； 中間的結對載流子的流動不構成障礙，所以有一些空穴就從P型硅擴散到N型硅，同樣，一些電子從N型硅...
2023-11-30 98
如何判定一個MOS晶體管是N溝道型還是P溝道型呢？
MOS的三個極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是一種常見的晶體管類型，在現代集成電路中廣泛應用。M...
2023-11-30 84
功率集成電路設計之結終端技術
通常采用半絕緣多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline Silicon，SIPOS），其兩端分別與器件的兩個電極相連，因為場板本身不絕緣且兩端存在電勢差，在阻性場板兩端之間就有電流流過，從而在電流流...
2023-11-30 86
模擬IC設計之OP的指標計算方法
在計算之前，我們有必要先了解一下ADC的架構，這對理解計算過程是有幫助的。我們看上圖，它由S/H電路、1~M個流水級和一個FlashADC組成。圖中G表示每個流水極放大相時的閉環增益。對于1.5bi...
2023-11-30 84
模擬IC設計之OP帶寬的計算方法
電路設計中的計算是非常重要的，但在計算之外，還有更高的境界，那就是“經驗”的運用，即知道如何留余量，留有多大余量，條件受限的時候怎樣“丟車保帥”等，或許這就是模擬電路所謂...
2023-11-30 14
什么是芯片的IO電路？IO電路設計的難點或關鍵點是什么？
輸入IO第一次誤翻轉時對應的輸入斜坡值為VIL，輸入IO最后一次誤翻轉時對應的輸入斜坡值為VIH。需要注意的是斜坡信號必須足夠緩慢才能得到準確的測量值，這里有一個經驗設定：斜率K=10mV/...
2023-11-30 32
NPN管做放大器的基準電路圖
當基準建立后，M4可以提供一個與M1成一定比例大小的電流并注入C點，使VC≈VDD，使M8關斷，避免啟動電路對核心電路的正常工作造成影響。...
2023-11-30 122
ADC中采樣開關引起的誤差的兩種因素分析
當開關關斷的時候，溝道電荷需要消失，電荷只能流入到MOS管本身的S端或D端，對兩端的電壓造成影響。因此流入采樣電容上的電荷會產生一個offset，offset的大小取決于多個因素。...
2023-11-30 25
一個小小的反相器引發的問題
于是多找了幾顆芯片繼續做了EMMI實驗，可毫無例外地，每顆芯片的亮斑位置基本一樣。這基本就排除了芯片個體差異性的可能。真實問題可能就是在那塊電路那里，但幾個邏輯門怎么可能造成...
2023-11-30 112
肖特基的特點和使用注意事項
反向恢復時間短。反向恢復時間是指二極管由流過正向電流的導通狀態切換到不導通狀態需要的時間。由于肖特基半導體導通時只有多數載流子，沒有少數載流子，所以理論上并沒有反向恢復時...
2023-11-30 115
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日，瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，...
2023-11-30 103
MOSFET柵極電路常見作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路是MOSF...
2023-11-29 140
模擬信號的輸入阻抗和反射
信號鏈上，PGA、TIA或filter的有用信號帶外（一般指高頻信號）的信號往往不是零，如果沒有考慮到帶外信號的影響，在應用中會因為帶外信號“反射”引起帶內信號質量下降。...
2023-11-29 150
晶體管是如何工作的？BJT和MOSFET晶體管區別
晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然...
2023-11-29 29
一個模擬工程師被一個小小電感給摩擦了？
輸出電壓是信號源內阻和RL的分壓，這也就意味著輸出電壓會隨著頻率的變大而變大。這在原理上是說的通的。那么實際是不是我們分析的這樣呢?于是我們拆除板子上的變壓器重新進行測試，發...
2023-11-29 204
模擬工程師：電流鏡還需要關注建立速度？
耐壓問題解決的分析過程很難用文字以符合邏輯的方式描述清楚，我也就不考驗我的文字技巧了?？傊涍^分析，我們找到的“因”是這樣的：認為是OP的P管的偏置電流比尾部電流源的偏置電流...
2023-11-29 119
基于XL4016的輸出過壓保護方案解析
當輸出電壓低于 VDZ1+0.7V 時，Q1 三極管不導通，Q2 三極管導通，此時 Q3 MOS 管導通使系統正常 輸出；當輸出電壓高于 VDZ1+0.7V 時，Q1 三極管導通，Q2 三極管不導通，此時 Q3 MOS 管不導通使系統輸出...
2023-11-29 134
PN結對IGBT器件的重要性
IGBT與功率MOS最大的區別就是背面多了一個pn結，在正向導通時，背面pn結構向N-區注入空穴，使得N-區的電阻率急劇減?。措妼д{制效應）。...
2023-11-29 175
淺析IGBT中的MOS結構—Rds(on)
在推導MOS的IV特性時，我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關系，從而消除歐姆定律中的電阻R，得到電流與電壓之間的關系，但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。...
2023-11-29 162
淺談信號delay time和phase shift
假設信號經過一階低通濾波器（-3dB帶寬為f0），那在所有頻率點，信號的delay是怎樣的？ tao=16ns時，我用matlab plot了一下幅度、相位和time delay，其中time delay=phase/w （其中w為角頻率，phase量...
2023-11-29 124
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